早在1971年，非線性電路理論先驅(qū)、美國加利福尼亞大學(xué)伯克利分校的華裔科學(xué)家蔡少堂就從理論上預(yù)言，除電容、電感和電阻之外，電子電路還應(yīng)該存在第四種基本元件———憶阻。實際上，憶阻是一種具有記憶功能的非線性電阻，可通過電流的變化控制其阻值的變化，如果將憶阻的高阻值和低阻值分別定義為1和0，就可以通過二進(jìn)制的方式來存儲數(shù)據(jù)。

　　如今，美國惠普公司實驗室的斯坦•威廉斯和同事在進(jìn)行極小型電路實驗時終于制造出憶阻的實物模型。威廉斯等人在新一期英國《自然》雜志上撰文說，他們像制作三明治一樣將一層納米級的二氧化鈦半導(dǎo)體薄膜夾在由鉑制成的兩個金屬薄片之間。這些材料都是標(biāo)準(zhǔn)材料，制作憶阻的竅門是使其組成部分只有5納米大小，也就是說僅相當(dāng)于人的一根頭發(fā)絲的1萬分之一那么細(xì)。 

　　科學(xué)家指出，只有在納米尺度上，憶阻的工作狀態(tài)才可以被察覺到。他們希望這種新元件能夠給計算機(jī)的制造和運行方式帶來革命性變革�？茖W(xué)家說，用憶阻電路制造出的計算機(jī)將能“記憶”先前處理的事情，并在斷電后“凍結(jié)”這種“記憶”。這將使計算機(jī)可以反復(fù)立即開關(guān)，因為所有組件都不必經(jīng)過“導(dǎo)入”過程就能即刻回復(fù)到最近的結(jié)束狀態(tài)。

　　據(jù)報道，蔡少堂對威廉斯等人的研究成果感到興奮，稱“從來沒想到”他的理論被擱置37年后還能得到證實。