在與4月25日閉幕的“2008日本傳感器綜合展（SENSOR EXPO JAPAN 2008）”并設(shè)的“2008傳感器·執(zhí)行器·微機械綜合討論會”上，美國SiTime的日本代理商就SiTime的MEMS振蕩器（硅振蕩器）發(fā)表演講，就其相對于現(xiàn)有水晶振蕩器的優(yōu)越性進(jìn)行了介紹。

　　演講人向中野 浩志（Macnica產(chǎn)品企劃部部長）表示，在成本方面，MEMS振蕩器優(yōu)于水晶振蕩器。在使用晶體底板尺寸較大的硅時，加工所需的掩膜數(shù)量不到10張。考慮到通用CMOS LSI需要20張以上的掩膜，MEMS振蕩器的成本競爭力較高。并且，向中野還通過與已上市的水晶振蕩器的配置進(jìn)行對比，用具體數(shù)值強調(diào)了MEMS振蕩器在性能和成本上的優(yōu)勢。

　　SiTime的MEMS振蕩器原可以發(fā)揮比現(xiàn)在更大的成本競爭力。這是因為，MEMS部分（振子）和溫度校正所需的周邊電路可以實現(xiàn)單芯片化。利用該公司擁有的技術(shù)，能夠把作為可動部分的振子在CMOS的前工序中密閉，然后形成CMOS電路。無需經(jīng)過焊接和引線鍵合等安裝工序，即可使MEMS部分和CMOS部分實現(xiàn)單芯片化。

　　但是，在現(xiàn)在供應(yīng)的產(chǎn)品中，MEMS部分和CMOS部分作為單獨芯片制造，分別通過引線鍵合連接。兩個芯片無法合一的原因在于二者接近后存在干擾。就此，向中野表示，“怎樣使MEMS部分和CMOS部分能夠接近”，并作為單芯片產(chǎn)品投產(chǎn)，將是今后需要解決的課題。